[发明专利]一种Micro-LED的巨量转移方法在审
| 申请号： | 201910652066.1 | 申请日： | 2019-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN110379739A | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 张忠华 | 申请（专利权）人： | 苏州飞思达精密机械有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/683;H01L27/15 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技技术领域，尤其涉及一种Micro‑LED的巨量转移方法，解决现有技术中存在量产效率低、成本高的缺点，包括以下步骤：步骤S1：备料，准备芯粒、电磁体、排列模板以及显示基板，所述排列模板的内部设置有芯粒腔，且所述排列模板上设置有与所述芯粒匹配的芯粒穴，所述芯粒穴与负压装置连接；步骤S2：对所述电磁体通电后，将所述步骤S1中的芯粒与所述电磁体磁性相吸；步骤S3：将步骤S2中与所述芯粒磁性相吸的所述电磁体与所述排列模板对应后，采用电磁吸附，气体吹吸，振动的工艺参数，在相同模板尺寸和参数设定的情况下，芯粒颗粒数上进行突破，使LED芯粒批量快速排列到排列模板中，以使达到批量转移的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 芯粒 电磁体 半导体制造 电磁体磁性 参数设定 磁性相吸 电磁吸附 负压装置 内部设置 显示基板 颗粒数 备料 量产 相吸 匹配 通电 | ||
【主权项】：
1.一种Micro‑LED的巨量转移方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：备料，准备芯粒、电磁体、排列模板以及显示基板，所述排列模板的内部设置有芯粒腔，且所述排列模板上设置有与所述芯粒匹配的芯粒穴，所述芯粒穴与负压装置连接；步骤S2：对所述电磁体通电后，将所述步骤S1中的芯粒与所述电磁体磁性相吸；步骤S3：将步骤S2中与所述芯粒磁性相吸的所述电磁体与所述排列模板对应后，对所述电磁体断电，并启动所述负压装置，使得芯粒落到所述排列模板上的芯粒穴内，且所述负压装置将所述芯粒与所述芯粒穴固定；步骤S4：对所述电磁体再次通电，并对芯粒腔侧面吹气，将未与所述芯粒穴固定的所述芯粒吹离；步骤S5，重复步骤S2‑步骤S4，实现芯粒排列的目的；步骤S6：巨量转移，将所述排列模板与所述显示基板固定，实现Micro‑LED的巨量转移。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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