[发明专利]一种无检测盲区的SiC MOSFET短路检测保护系统和方法

摘要

本发明涉及一种无检测盲区的SiC MOSFET短路检测保护系统和方法。本发明将传统的di/dt短路检测方法与VDS短路检测方法相结合设计了一种无检测盲区的SiC MOSFET短路检测保护系统及方法。使得功率器件SiC MOSFET在整个运行过程中不存在短路检测盲区，对短路故障可以进行快速的检测判断，缩短了功率器件承受的短路时间，使得电力电子设备运行更加可靠。功率器件SiC MOSFET的开关频率较快、可承受短路时间较短，一般不超过3‑5us。使用本发明所述方法可以在1‑2us内检测到故障信号并执行关断保护，保护功率器件和系统不被损坏。本方法也可扩展应用到Si基IGBT器件应用场合。

主权项

1.一种无检测盲区的SiC MOSFET短路检测保护系统，其特征在于，包括：PWM控制发生单元(1)、功率放大单元(2)、di/dt短路检测单元(3)、逻辑与单元Ⅰ(4)、比较单元Ⅰ(5)、反相单元(6)、触发单元Ⅰ(7)、比较单元Ⅱ(8)、逻辑与单元Ⅱ(9)、逻辑或单元(10)、触发单元Ⅱ(11)、降栅压/软关断单元(12)、栅极电阻R