[发明专利]晶硅太阳能电池的薄膜沉积方法

摘要

本发明提供了一种晶硅太阳能电池的薄膜沉积方法，包括在管式等离子体化学气相沉积设备的单一沉积腔内对待处理硅片进行的钝化处理过程、减反射处理过程以及机械操作。所述薄膜沉积方法通过所述单一沉积腔内的机械装置对所述载片装置进行的所述机械操作，并配合所述钝化处理和所述减反射处理，能够在所述单一沉积腔内对在两个所述待处理表面中的任意一个或两个的表面形成钝化膜，并在两个所述待处理表面形成减反射膜，减少了降温出腔的次数以及对工艺腔内进行升降温处理的时间，避免了现有技术中存在的由于工艺流程繁琐造成的产能下降以及产品良率不高的问题。

主权项

1.一种晶硅太阳能电池的薄膜沉积方法，其特征在于，包括：S1：提供待处理硅片、载片装置和管式等离子体化学气相沉积设备，所述待处理硅片具有相互平行的两个待处理表面，所述管式等离子体化学气相沉积设备具有单一沉积腔；S2：将所述待处理硅片放入所述载片装置中，通过所述载片装置或移动所述单一沉积腔内的机械装置，以使一个所述待处理表面与所述载片装置的致密结构件或所述机械装置的致密结构件紧密贴合，另一个所述待处理表面处于待镀状态；S3：在所述单一沉积腔内对所述载片装置进行的钝化处理、减反射处理以及机械操作，以在两个所述待处理表面中的任意一个或两个的表面形成钝化膜，并在两个所述待处理表面形成减反射膜；所述步骤S3中，通过所述机械装置使所述载片装置的翻转角度为90‑270度，以完成所述机械操作，从而使一个所述待处理表面与所述载片装置的致密结构件或所述机械装置的致密结构件紧密贴合，另一个所述待处理表面处于待镀状态。