[发明专利]一种光刻曝光条件的设定方法有效
| 申请号： | 201910612906.1 | 申请日： | 2019-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN112213922B | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 夏得阳 | 申请（专利权）人： | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 陈敏 |
| 地址： | 266555 山东省青岛市黄岛区*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种光刻曝光条件设定方法，通过在一个方向上以固定步长改变聚焦值，另一个方向以另一个固定步长改变曝光能量，在所述光刻胶层上形成由多个曝光条件不同的曝光区域，并检测每个所述曝光区域的多个点，并进行相应的计算，提高了曝光条件设定的准确性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光刻 曝光 条件 设定 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于芯恩（青岛）集成电路有限公司，未经芯恩（青岛）集成电路有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910612906.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
