[发明专利]一种光刻曝光条件的设定方法

权利要求书

1.一种光刻曝光条件设定方法，其特征在于，所述光刻曝光条件设定方法包括：

提供待曝光晶圆，所述晶圆上具有一光刻胶层；

通过在一个方向上以固定步长改变聚焦值，另一个方向以另一个固定步长改变曝光能量，在所述光刻胶层上形成由多个曝光条件不同的曝光区域组成的第一阵列；

每个所述曝光区域具有第一曝光图案，所述第一曝光图案为多个第二曝光图案组成的第二阵列；

用扫描式电子显微镜依次对多个所述曝光区域进行照射，并检测收集当前被照射的所述曝光区域的多个所述第二曝光图案的形貌数据，至少分别对所述第一曝光图案的四个角落及正中央的第二曝光图案进行照射；

对检测收集的所述第二曝光图案的形貌数据进行计算，并选择出符合制程要求的聚焦值范围和曝光能量值范围。

2.根据权利要求1所述的光刻曝光条件设定方法，其特征在于，所述形貌数据包括线宽、孔径、高度或倾斜角中的至少一种。

3.根据权利要求2所述的光刻曝光条件设定方法，其特征在于，所述计算包括计算形貌数据的平均值、标准差或方差中的至少一种。

4.根据权利要求1-3之一所述的光刻曝光条件设定方法，其特征在于，所述方法还包括以聚焦值及计算后的形貌数据为坐标轴，绘制不同曝光能量的曲线。

5.根据权利要求4所述的光刻曝光条件设定方法，其特征在于，基于所述不同曝光能量的曲线，选择出符合制程要求的聚焦值范围和曝光能量值范围。

6.根据权利要求1-3之一所述的光刻曝光条件设定方法，其特征在于，所述方法还包括以曝光能量及计算后的形貌数据为坐标轴，绘制不同聚焦值的曲线。

7.根据权利要求6所述的光刻曝光条件设定方法，其特征在于，基于所述不同聚焦值的曲线，选择出符合制程要求的聚焦值范围和曝光能量值范围。

8.一种光刻曝光条件设定方法，其特征在于，所述光刻曝光条件设定方法包括：

提供待曝光晶圆，所述晶圆上具有一光刻胶层；

通过在一个方向上以第一步长改变聚焦值，另一个方向以第二步长改变曝光能量，在所述光刻胶层上形成由多个曝光条件不同的曝光区域组成的第一阵列；

所述聚焦值的所述第一步长和所述曝光能量的所述第二步长先逐渐减小再逐渐增大；

每个所述曝光区域具有第一曝光图案，所述第一曝光图案为多个第二曝光图案组成的第二阵列；

用扫描式电子显微镜依次对多个所述曝光区域进行照射，并检测收集当前被照射的所述曝光区域的多个所述第二曝光图案的形貌数据，至少分别对所述第一曝光图案的四个角落及正中央的第二曝光图案进行照射；

对检测收集的所述第二曝光图案的形貌数据进行计算，并选择出符合制程要求的聚焦值范围和曝光能量值范围。

9.根据权利要求8所述的光刻曝光条件设定方法，其特征在于，所述形貌数据包括线宽、孔径、高度或倾斜角中的至少一种。

10.根据权利要求9所述的光刻曝光条件设定方法，其特征在于，所述计算包括计算形貌数据的平均值、标准差或方差中的至少一种。

11.根据权利要求8-10之一所述的光刻曝光条件设定方法，其特征在于，所述方法还包括以聚焦值及计算后的形貌数据为坐标轴，绘制不同曝光能量的曲线。

12.根据权利要求11所述的光刻曝光条件设定方法，其特征在于，基于所述不同曝光能量的曲线，选择出符合制程要求的聚焦值范围和曝光能量值范围。

13.根据权利要求8-10之一所述的光刻曝光条件设定方法，其特征在于，所述方法还包括以曝光能量及计算后的形貌数据为坐标轴，绘制不同聚焦值的曲线。

14.根据权利要求13所述的光刻曝光条件设定方法，其特征在于，基于所述不同聚焦值的曲线，选择出符合制程要求的聚焦值范围和曝光能量值范围。