[发明专利]一种宏量制备硅纳米材料的方法及装置在审

专利信息
申请号: 201910607007.2 申请日: 2019-07-06
公开(公告)号: CN110156022A 公开(公告)日: 2019-08-23
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 金雪莉
主分类号: C01B33/03 分类号: C01B33/03;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 台州蓝天知识产权代理有限公司 33229 代理人: 孙炜
地址: 318000 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明属于纳米材料技术领域,涉及一种宏量制备硅纳米材料的方法,包括如下步骤:将含硅气体和惰性气体输入到等离子体枪中,在等离子体枪内电离及热分解出硅离子和氢离子;使经过电离及热分解打开的硅离子和氢离子进入生长控制器中,重新生成硅纳米线或/和硅纳米颗粒;重新生成的硅纳米线或/和硅纳米颗粒进入冷却容器中,经冷却气体环释放出的冷却气体快速冷却稳定成型。本发明还提供了一种宏量制备硅纳米材料的装置。本发明提供的宏量制备硅纳米材料的方法及装置,实现了硅纳米材料尤其是硅纳米线的工业化制备,大幅度降低了材料制造成本。
搜索关键词: 硅纳米材料 制备 硅纳米线 氢离子 等离子体枪 硅纳米颗粒 冷却气体 重新生成 电离 硅离子 热分解 材料制造成本 纳米材料技术 惰性气体 含硅气体 快速冷却 冷却容器 控制器 成型 释放 生长
【主权项】:
1.一种宏量制备硅纳米材料的方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)将含硅气体和惰性气体输入到等离子体枪中,在等离子体枪内电离及热分解出硅离子和氢离子;(2)使经过电离及热分解打开的硅离子和氢离子进入生长控制器中,重新生成硅纳米线或/和硅纳米颗粒;(3)重新生成的硅纳米线或/和硅纳米颗粒进入冷却容器中,经冷却气体环释放出的冷却气体快速冷却稳定成型。
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