[发明专利]一种宏量制备硅纳米材料的方法及装置在审
申请号: | 201910607007.2 | 申请日: | 2019-07-06 |
公开(公告)号: | CN110156022A | 公开(公告)日: | 2019-08-23 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 金雪莉 |
主分类号: | C01B33/03 | 分类号: | C01B33/03;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 台州蓝天知识产权代理有限公司 33229 | 代理人: | 孙炜 |
地址: | 318000 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明属于纳米材料技术领域,涉及一种宏量制备硅纳米材料的方法,包括如下步骤:将含硅气体和惰性气体输入到等离子体枪中,在等离子体枪内电离及热分解出硅离子和氢离子;使经过电离及热分解打开的硅离子和氢离子进入生长控制器中,重新生成硅纳米线或/和硅纳米颗粒;重新生成的硅纳米线或/和硅纳米颗粒进入冷却容器中,经冷却气体环释放出的冷却气体快速冷却稳定成型。本发明还提供了一种宏量制备硅纳米材料的装置。本发明提供的宏量制备硅纳米材料的方法及装置,实现了硅纳米材料尤其是硅纳米线的工业化制备,大幅度降低了材料制造成本。 | ||
搜索关键词: | 硅纳米材料 制备 硅纳米线 氢离子 等离子体枪 硅纳米颗粒 冷却气体 重新生成 电离 硅离子 热分解 材料制造成本 纳米材料技术 惰性气体 含硅气体 快速冷却 冷却容器 控制器 成型 释放 生长 | ||
【主权项】:
1.一种宏量制备硅纳米材料的方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)将含硅气体和惰性气体输入到等离子体枪中,在等离子体枪内电离及热分解出硅离子和氢离子;(2)使经过电离及热分解打开的硅离子和氢离子进入生长控制器中,重新生成硅纳米线或/和硅纳米颗粒;(3)重新生成的硅纳米线或/和硅纳米颗粒进入冷却容器中,经冷却气体环释放出的冷却气体快速冷却稳定成型。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于金雪莉,未经金雪莉许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910607007.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。