[发明专利]立体存储器阵列装置与乘积累加方法在审
| 申请号： | 201910596607.3 | 申请日： | 2019-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN112114775A | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 叶腾豪;吕函庭 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F7/523 | 分类号： | G06F7/523;G06F7/544;G11C16/08;G11C16/24 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种立体存储器阵列装置与乘积累加方法，该立体存储器阵列装置包括区块、位线、字线、源极线、互补式金属氧化物半导体(CMOS)与源极线感测放大器。每一区块包括含多个NAND串的阵列，且NAND串中的每一存储单元存储一个或多个权重值。位线作为信号输入端分别耦接所有区块内沿一方向排列的串选择线。字线分别耦接存储单元，且相同层的字线作为卷积层，以对输入的信号执行卷积运算。不同源极线则耦接不同区块内的所有接地选择线，以独立收集各区块内的NAND串的总和电流。作为开关的CMOS设置于区块底下并耦接至各个源极线，以传输所述总和电流至SL SA，并经SL SA输出各区块的乘积累加结果。 | ||
| 搜索关键词： | 立体 存储器 阵列 装置 乘积 累加 方法 | ||
【主权项】：
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