[发明专利]调控铜锌锡硫（硒）太阳能电池吸收层背面结晶的方法在审
| 申请号： | 201910595905.0 | 申请日： | 2019-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN110459626A | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 于晴;孟庆波;石将建;李冬梅;罗艳红;吴会觉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0272 | 分类号： | H01L31/0272;H01L31/18 |
| 代理公司： | 11391 北京智汇东方知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 薛峰<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 100190北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种调控铜锌锡硫(硒)太阳能电池吸收层背面结晶的方法，包括：利用物理气相沉积方式在阳极电极和吸收层界面之间引入隔离层来抑制所述吸收层背面的结晶。本发明通过在阳极电极/铜锌锡硫(硒)吸收层的背界面通过物理气相沉积方式引入隔离层，有效抑制该界面的晶核形成，进而消除铜锌锡硫(硒)吸收层的背面结晶，提高原料的利用率，获得更大晶粒、缺陷态和次生相更少、更致密的吸收层，进而有效提高器件效率。同时，使用物理气相沉积方式制备的隔离层具有更均匀，更可控，重复性更高的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 吸收层 物理气相沉积 铜锌锡硫 隔离层 阳极电极 背面 太阳能电池吸收层 致密 器件效率 有效抑制 引入 大晶粒 缺陷态 晶核 可控 制备 调控 | ||
【主权项】：
1.一种调控铜锌锡硫(硒)太阳能电池吸收层背面结晶的方法，包括：利用物理气相沉积方式在阳极电极和吸收层界面之间引入隔离层来抑制所述吸收层背面结晶。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院物理研究所，未经中国科学院物理研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910595905.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：新型柔性太阳能电池组件及其制作方法
- 下一篇：一种紫外-可见双波段光电探测器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
