[发明专利]调控铜锌锡硫（硒）太阳能电池吸收层背面结晶的方法在审
| 申请号： | 201910595905.0 | 申请日： | 2019-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN110459626A | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 于晴;孟庆波;石将建;李冬梅;罗艳红;吴会觉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0272 | 分类号： | H01L31/0272;H01L31/18 |
| 代理公司： | 11391 北京智汇东方知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 薛峰<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 100190北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 吸收层 物理气相沉积 铜锌锡硫 隔离层 阳极电极 背面 太阳能电池吸收层 致密 器件效率 有效抑制 引入 大晶粒 缺陷态 晶核 可控 制备 调控 | ||
1.一种调控铜锌锡硫(硒)太阳能电池吸收层背面结晶的方法，包括：利用物理气相沉积方式在阳极电极和吸收层界面之间引入隔离层来抑制所述吸收层背面结晶。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，
所述阳极电极为钼电极。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，
所述隔离层选自氧化硅、氮化硅、氧化铝、硒化钼、硫化钼、氮化钛、氮化铝或氮化硼。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，
所述隔离层的厚度大于1nm。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，
所述隔离层的厚度为5-20nm。
6.根据权利要求3所述的方法，其中，包括以下步骤：
首先，在真空条件下，对钼基底进行以下处理中的一种，得到复合钼电极：
通过溅射方式将所述隔离层的原料溅射沉积到所述钼基底上；或者
通过热蒸发方式将所述隔离层的原料蒸发沉积到所述钼基底上；或者
通过电子束蒸发方式将所述隔离层的原料蒸发沉积到所述钼基底上；
其次，在所述复合钼电极上形成所述吸收层。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，
所述钼基底是磁控溅射在钠钙玻璃上的金属钼薄膜或金属钼箔。
8.根据权利要求6所述的方法，其中，
所述在所述复合钼电极上形成所述吸收层的步骤包括：
在所述复合钼电极上形成铜锌锡硫(硒)前驱膜；
对所述铜锌锡硫(硒)前驱膜进行硫/硒化，实现在所述复合钼电极上形成所述吸收层。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，
在所述复合钼电极上形成铜锌锡硫(硒)前驱膜的步骤包括：
将铜、锌、锡、硫、硒引入到溶剂中，得到前驱体溶液；
将所述前驱体溶液复合到所述复合钼电极上，形成所述铜锌锡硫(硒)前驱膜。
10.根据权利要求8所述的方法，其中，
所述对所述铜锌锡硫(硒)前驱膜进行硫/硒化的步骤是：
将所述铜锌锡硫(硒)前驱膜在400℃-700℃温度范围、硫气氛/硒气氛中进行硫/硒化，形成所述吸收层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院物理研究所，未经中国科学院物理研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910595905.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：新型柔性太阳能电池组件及其制作方法
- 下一篇：一种紫外-可见双波段光电探测器
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
