[发明专利]一种快速下电时的输出保护电路有效
申请号: | 201910593703.2 | 申请日: | 2019-07-03 |
公开(公告)号: | CN110311541B | 公开(公告)日: | 2021-07-09 |
发明(设计)人: | 汪鹏 | 申请(专利权)人: | 思瑞浦微电子科技(苏州)股份有限公司 |
主分类号: | H02M1/32 | 分类号: | H02M1/32 |
代理公司: | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人: | 陈忠辉 |
地址: | 215123 江苏省苏州市工业*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明揭示了一种快速下电时的输出保护电路,接设于LDO的环路中输入电压VDD、输出电压VOUT之间,该输出保护电路包括齐纳二极管D1、低压NMOS管M1和高压LDMOS管M2,其中高压LDMOS管M2的漏极与输入电压VDD相连接,LDMOS管M2的源极与NMOS管M1的漏极相连接,NMOS管M1的源极与LDO的输出连接为输出电压VOUT,齐纳二极管D1的负极与两个MOS管的共栅节点A相接于输入电压VDD,且齐纳二极管D1的正极接地。应用本发明的电路结构改良设计,实现了在输入电压快速下电时输出电压不会过量下降而持续保持在正常范围,同时该电路的面积需求小、利于集成设计,并利用电流钳位可靠地降低了输出保护电路的功耗。 | ||
搜索关键词: | 一种 快速 下电时 输出 保护 电路 | ||
【主权项】:
1.一种快速下电时的输出保护电路,接设于LDO的环路中输入电压VDD、输出电压VOUT之间,其特征在于:所述输出保护电路包括齐纳二极管D1、低压NMOS管M1和高压LDMOS管M2,其中高压LDMOS管M2的漏极与输入电压VDD相连接,高压LDMOS管M2的源极与低压NMOS管M1的漏极相连接,低压NMOS管M1的源极与LDO的输出连接为输出电压VOUT,齐纳二极管D1的负极与两个MOS管的共栅节点A相接于输入电压VDD,且齐纳二极管D1的正极接地。
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
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