[发明专利]一种晶体硅太阳电池在审
| 申请号： | 201910592187.1 | 申请日： | 2019-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN110416329A | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 沈辉;林文杰;梁宗存;吴伟梁;谢琦;刘宗涛;陈志明 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/028 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 颜希文;宋静娜 |
| 地址： | 510730 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶体硅太阳电池，包括至少一层碘化物薄膜，所述碘化物薄膜作为空穴载流子选择性接触和/或电子载流子选择性接触。本发明所述晶体硅太阳电池与HIT晶体硅太阳电池相比，具有低温、免掺杂、光电转换效率高、热稳定性能优异等特点，同时极大地简化硅基异质结太阳电池的制备工艺过程，成本低廉，节能环保，适合于大规模产业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体硅太阳电池 选择性接触 碘化物 薄膜 硅基异质结太阳电池 光电转换效率 制备工艺过程 产业化生产 电子载流子 空穴载流子 热稳定性能 节能环保 掺杂 | ||
【主权项】：
1.一种晶体硅太阳电池，其特征在于，包括至少一层碘化物薄膜，所述碘化物薄膜作为空穴载流子选择性接触和/或电子载流子选择性接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
