[发明专利]成膜装置及电子器件的制造方法在审

专利信息
申请号: 201910586973.0 申请日: 2019-07-02
公开(公告)号: CN110777338A 公开(公告)日: 2020-02-11
发明(设计)人: 菅原洋纪;内田敏治 申请(专利权)人: 佳能特机株式会社
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35
代理公司: 11038 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 张宝荣
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种能够提高靶材料的利用率的技术。成膜装置(1)具备:配置有成膜对象物(10)及靶(30)的腔室(2);及配置在腔室(2)内的隔着靶(3)而与成膜对象物(10)对置的位置的磁场产生机构(31),成膜装置(1)的特征在于,具有:沿着靶(30)的长度方向排列配置的多个导电构件(4A、4B);及对多个导电构件(4A、4B)中的至少一个施加电位,以使多个导电构件(4A、4B)中的至少两个导电构件的电位不同的电位施加机构(26A、26B)。
搜索关键词: 导电构件 电位 成膜装置 腔室 长度方向排列 磁场产生机构 成膜对象物 电位施加 靶材料 对象物 配置的 对置 配置 施加
【主权项】:
1.一种成膜装置,具备:/n腔室,所述腔室配置有成膜对象物及靶;及/n磁场产生机构,所述磁场产生机构配置在所述腔室内的隔着所述靶而与所述成膜对象物对置的位置,/n所述成膜装置的特征在于,具有:/n多个导电构件,所述多个导电构件沿着所述靶的长度方向排列配置;及/n电位施加机构,所述电位施加机构对所述多个导电构件中的至少一个施加电位,以使所述多个导电构件中的至少两个导电构件的电位不同。/n
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