[发明专利]成膜装置以及电子器件的制造方法有效
| 申请号： | 201910586972.6 | 申请日： | 2019-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN110777337B | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 菅原洋纪;内田敏治 | 申请（专利权）人： | 佳能特机株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 刘杨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供能够生产率良好且简便地进行预溅射的成膜装置以及电子器件的制造方法。成膜装置(1)具备：将成膜对象物(6)及圆筒形的靶(2)配置于内部的腔室(10)；设置于靶(2)的内部，生成从靶(2)的外周面泄漏的磁场的磁场产生部件(3)；以及驱动靶(2)旋转的靶驱动部件(11)。成膜装置(1)具有能够移动地设置在磁场产生部件(3)与靶(2)的内周面之间的磁屏蔽构件(5)和驱动磁屏蔽构件(5)的屏蔽构件驱动部件(12)。 | ||
| 搜索关键词： | 装置 以及 电子器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种成膜装置，具备：/n腔室，将成膜对象物及圆筒形的靶配置在内部；/n磁场产生部件，设置在上述靶的内部，生成从上述靶的外周面泄漏的磁场；以及/n靶驱动部件，驱动上述靶旋转，/n其特征在于，/n该成膜装置具备：/n磁屏蔽构件，能够移动地设置在上述磁场产生部件与上述靶的内周面之间；以及/n屏蔽构件驱动部件，驱动该磁屏蔽构件。/n
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