[发明专利]一种用于细管内壁镀膜的低温化学气相沉积装置在审
申请号: | 201910586736.4 | 申请日: | 2019-07-01 |
公开(公告)号: | CN110331385A | 公开(公告)日: | 2019-10-15 |
发明(设计)人: | 张庆瑜;马春雨;苗春雨;石德权 | 申请(专利权)人: | 大连理工大学 |
主分类号: | C23C16/50 | 分类号: | C23C16/50;C23C16/52;C23C16/458;C23C16/34 |
代理公司: | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人: | 李晓亮;潘迅 |
地址: | 116024 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本发明属于薄膜制备领域,涉及一种用于细管内壁镀膜的低温化学气相沉积装置,包括等离子体放电电极、真空绝缘密封装置、放电管、两个进气管,细管容器、细管容器固定装置、真空位移控制装置和真空室。等离子体放电电极固定在真空绝缘密封装置上,放置在放电管内,放电管与进气管相连;等离子体放电所需气体由进气管通入,需要内壁镀膜的细管容器固定在细管容器固定装置上,通过真空位移控制装置实现放电管和细管容器之间的相对运动,细管容器的内壁镀膜过程在真空室内完成。本发明通过管状等离子体放电实现细管容器内壁的低温化学气相沉积;通过放电管和容器之间的相对运动,解决了管内壁镀膜的均匀性,实现了薄膜的低温生长,最低温度可至室温。 | ||
搜索关键词: | 细管 放电管 低温化学 进气管 镀膜 等离子体放电电极 等离子体放电 气相沉积装置 容器固定装置 位移控制装置 内壁镀膜 细管内壁 真空绝缘 薄膜制备 低温生长 气相沉积 容器内壁 管内壁 均匀性 真空室 薄膜 室内 | ||
【主权项】:
1.一种用于细管内壁镀膜的低温化学气相沉积装置,其特征在于,所述的低温化学气相沉积装置包括等离子体放电电极(1)、真空绝缘密封装置(2)、放电管(3)、两个进气管,细管容器(6)、细管容器固定装置(7)、真空位移控制装置(8)和真空室(9);所述的等离子体放电电极(1)固定在真空绝缘密封装置(2)上,等离子体放电电极(1)深入放电管(3)内;所述的等离子体放电电极(1)由金属材料制作;所述的真空绝缘密封装置(2)固定在真空室(9)下表面,通过真空法兰与真空室(9)连接;真空绝缘密封装置(2)由金属陶瓷封接件和绝缘材料组成,金属陶瓷封接件用于等离子体放电电极(1)和真空法兰相连,起到密封和功率传导,绝缘材料用于等离子体放电电极(1)和真空室(9)之间的绝缘;所述的放电管(3)垂直设于真空室(9)内,放电管(3)底端与等离子体放电电极(1)连接,放电管(3)顶端与细管容器(6)口对应;放电管(3)上部与进气管B5连通,下部与进气管A4连通,进气管A4、B5穿过真空室(9)侧壁与外界相通,进气管A4、B5用于薄膜沉积过程的配气;所述的放电管(3)由绝缘材料制作;所述的需要内壁镀膜的细管容器(6)固定在细管容器固定装置(7)上,其中,管容器6的容器口与放电管(3)的出口相对放置;其中,细管容器(6)的内壁镀膜过程在真空室(9)内完成;所述的细管容器固定装置(7)与真空位移控制装置(8)连接,真空位移控制装置(8)设于固定在真空室(9)上表面;通过真空位移控制装置(8)带动细管容器(6)移动,进而实现放电管(3)和细管容器(6)之间的相对运动。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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