[发明专利]一种薄膜生长系统及方法有效
| 申请号： | 201910584024.9 | 申请日： | 2019-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN112239849B | 公开（公告）日： | 2022-12-09 |
| 发明（设计）人： | 冯嘉恒 | 申请（专利权）人： | 无锡科硅电子技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/24 | 分类号： | C23C14/24;C23C14/56;C23C16/455;C23C16/54 |
| 代理公司： | 无锡华源专利商标事务所(普通合伙) 32228 | 代理人： | 聂启新 |
| 地址： | 214100 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种薄膜生长系统及方法，包括上腔室，其内部设有加热装置和可升降的样品台，上腔室的一侧通过输入管道连接有原子层沉积系统的前驱体注入装置，另一侧通过输出管道连接有抽真空装置；上腔室的下部设有通过隔断阀门连接下腔室，其内安装有一个或多个蒸发源，下腔室上也连接有抽真空装置。本发明结构合理操作方便，在同一个装置内进行真空蒸镀和原子沉积，可用于催化材料制备、半导体材料制备、太阳能光伏器件等多种用途，大大提高了产品质量和设备利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 生长 系统 方法 | ||
【主权项】：
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