[发明专利]一种抗辐照高压驱动电路有效
| 申请号： | 201910576027.8 | 申请日： | 2019-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN110176879B | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 韩方;杨晓萍;王俊峰;王云 | 申请（专利权）人： | 西安微电子技术研究所 |
| 主分类号： | H02P6/08 | 分类号： | H02P6/08 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 安彦彦 |
| 地址： | 710065 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明一种抗辐照高压驱动电路，包括电平转换单元和驱动单元；电平转换单元包括电阻R1、电阻R2、N沟道VDMOS T1和双极NPN晶体管Q1；驱动单元包括二极管D1、电容C1、稳压管D2、电阻R3和驱动芯片；输入信号V |
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| 搜索关键词： | 一种 辐照 高压 驱动 电路 | ||
【主权项】：
1.一种抗辐照高压驱动电路，其特征在于，包括电平转换单元和驱动单元；所述的电平转换单元包括电阻R1、电阻R2、N沟道VDMOS T1和双极NPN晶体管Q1；所述的驱动单元包括二极管D1、电容C1、稳压管D2、电阻R3和驱动芯片；输入信号VIN经电阻R1分别与N沟道VDMOS T1的栅极和双极NPN晶体管Q1的集电极相连；N沟道VDMOS T1的源极和双极NPN晶体管Q1的基极与电阻R2的一端相连，电阻R2另一端和双极NPN晶体管Q1的发射极连接地；N沟道VDMOS T1的漏极连接驱动芯片的输入端；电源电压VDD连接二极管D1的阳极，二极管D1的阴极连接电容C1的一端、电阻R3的一端及驱动芯片的VDD端；电容C1的另一端连接稳压管D2的阳极且与驱动芯片的VSS连接至输出VS，电阻R3的另一端连接稳压管D2的阴极且连接驱动芯片的输入端；驱动芯片的输出为高压驱动电路的输出HO。
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