[发明专利]一种基于石墨烯纳米带的红外宽光谱探测器有效
申请号: | 201910572514.7 | 申请日: | 2019-06-28 |
公开(公告)号: | CN110311010B | 公开(公告)日: | 2022-06-07 |
发明(设计)人: | 杨树明;吉培瑞;杨晓凯;王一鸣 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | H01L31/113 | 分类号: | H01L31/113;H01L31/028;G01J3/28 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 安彦彦 |
地址: | 710049 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于石墨烯纳米带的红外宽光谱探测器,包括石墨烯纳米带、栅极、源极、漏极和栅极介质。该探测器中石墨烯纳米带的带隙大小一方面可根据其宽度调节,另一方面可通过栅压调节,整体实现两个维度上的带隙可调。不同带隙大小对应探测器不同的光响应频率。因此,该探测器具有宽光谱探测能力,实现探测波段覆盖760nm‑100μm的全红外波探测。且探测灵敏度高、响应速度快,可有效解决红外宽光谱探测的迫切需求。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 石墨 纳米 红外 光谱 探测器 | ||
【主权项】:
1.一种基于石墨烯纳米带的红外宽光谱探测器,其特征在于,包括石墨烯纳米带(1)、栅极(2)、源极(3)、漏极(4)和栅极介质(5);其中,栅极(2)材料采用重掺杂硅,栅极介质(5)材料采用300nm厚的二氧化硅,且二氧化硅‑硅界面具有良好的稳定性;石墨烯纳米带(1)位于栅极介质(5)表面,作为导电沟道;源极(3)和漏极(4)材料采用20nm厚的Ti过渡层及100nm厚的Au电极,分别从石墨烯纳米带(1)的上表面左右两侧接出,与石墨烯形成欧姆接触并连接外部电源;栅极(2)和源极(3)通过栅电源相连,提供栅压Vg;工作时,入射光(7)照射到探测器上,光生载流子产生,并被电极与石墨烯之间的内建电场分离,形成光电流,通过电流表(6)进行检测。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的