[发明专利]一种复合结构双吸收层石墨烯探测器及其制备工艺有效
申请号: | 201910572336.8 | 申请日: | 2019-06-28 |
公开(公告)号: | CN110233182B | 公开(公告)日: | 2020-11-10 |
发明(设计)人: | 杨树明;吉培瑞;王一鸣;杨晓凯 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | H01L31/0232 | 分类号: | H01L31/0232;H01L31/09;H01L31/028;H01L31/18 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 安彦彦 |
地址: | 710049 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种复合结构双吸收层石墨烯探测器及其制备工艺。该探测器包括二氧化硅基底、石墨烯纳米带、金属电极、纳米光栅天线、金属量子点、金属膜环带片和透明粘合剂。通过亚波长纳米光栅天线对光束进行耦合传导同时产生等离子体共振,提高接收效率并增强光电响应;通过金属量子点激发表面等离子体激元,产生表面等离子体共振增强光电响应;通过金属膜环带片对入射光束聚焦,使得入射光能量集中作用在探测区域,增强光电响应。采用正反两面探测器结构,正面与背面同时接收并转换成光电流,有效增大了接收面积,进一步了提高光电响应。相应的制备工艺操作简单,可靠性强。本发明有助于突破石墨烯弱光子能量探测的技术瓶颈。 | ||
搜索关键词: | 一种 复合 结构 吸收 石墨 探测器 及其 制备 工艺 | ||
【主权项】:
1.一种复合结构双吸收层石墨烯探测器,其特征在于,包括二氧化硅基底(1)、石墨烯纳米带(2)、金属电极(3)、纳米光栅天线(4)、金属量子点(5)和金属膜环带片(6);其中,石墨烯纳米带(2)位于二氧化硅基底(1)表面,金属电极(3)形成于石墨烯纳米带(2)两侧,纳米光栅天线(4)形成于金属电极(3)上方,金属量子点(5)形成于石墨烯纳米带(2)表面,金属膜环带片(6)形成于二氧化硅基底(1)表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的