[发明专利]光子器件和形成光子器件方法有效
| 申请号： | 201910568406.2 | 申请日： | 2019-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN110648974B | 公开（公告）日： | 2021-04-27 |
| 发明（设计）人： | 余振华;夏兴国;丁国强;林品佐;黄松辉;侯上勇;吴集锡 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/98 | 分类号： | H01L21/98;H01L25/16 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 方法包括在衬底上方的第一氧化物层中形成硅波导段，第一氧化物层设置在衬底上，在第一氧化物层上方形成布线结构，该布线结构包括一个或多个绝缘层以及位于一个或多个绝缘层中的一个或多个导电部件，使布线结构的区域凹进，在布线结构的凹进区域中形成氮化物波导段，其中，氮化物波导段在硅波导段上方延伸，在氮化物波导段上方形成第二氧化物层，以及将半导体管芯附接至布线结构，管芯电连接至导电部件。本发明的实施例还涉及光子器件和形成光子器件方法。 | ||
| 搜索关键词： | 光子 器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成光子器件的方法，包括：/n在衬底上方的第一氧化物层中形成硅波导段，所述第一氧化物层设置在所述衬底上；/n在所述第一氧化物层上方形成布线结构，所述布线结构包括一个或多个绝缘层以及位于所述一个或多个绝缘层中的一个或多个导电部件；/n使所述布线结构的区域凹进；/n在所述布线结构的凹进区域中形成氮化物波导段，其中，所述氮化物波导段在所述硅波导段上方延伸；/n在所述氮化物波导段上方形成第二氧化物层；以及/n将所述半导体管芯附接至所述布线结构，所述管芯电连接至所述导电部件。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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