[发明专利]一种过渡金属掺杂二维薄片的制备方法有效
申请号: | 201910563958.4 | 申请日: | 2019-06-27 |
公开(公告)号: | CN110216279B | 公开(公告)日: | 2021-07-09 |
发明(设计)人: | 喻学锋;刘丹妮;王佳宏 | 申请(专利权)人: | 深圳市中科墨磷科技有限公司 |
主分类号: | B22F1/00 | 分类号: | B22F1/00;C25D5/54;C01B25/00;C01B32/19;C01B19/04;B82Y30/00;B82Y40/00 |
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地址: | 518111 广东省深圳市龙岗区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供一种简易、快捷地制备掺杂过渡金属的二维薄片的方法,在电场下将块状含层状结构的二维晶体转变成少层的薄片,同时在薄片上掺杂过渡金属异质结。该方法中,将块状二维晶体作为工作电极,另外的惰性材料作为对电极,并都浸泡在电解液中,电解液为含过渡金属阳离子及插层剂的有机溶剂。持续通电一段时间后,将得到的产物收集,清洗,超声,得到掺杂过渡金属的二维薄片。本发明利用电化学法快速制备掺杂过渡金属的二维薄片,该方法条件简单、成本低、产率高、重复性好、且对环境友好。 | ||
搜索关键词: | 一种 过渡 金属 掺杂 二维 薄片 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种制备过渡金属掺杂二维薄片的方法,其特征在于,包括以下步骤:(一):将二维块体作为工作电极,其他惰性材料作为对电极,所有电极与导线相连,浸入在含过渡金属阳离子及插层剂的有机溶剂中,与电解池一起,构成两电极或三电极体系;(二):持续通电一段时间,得到膨胀体,其为相互连接的过渡金属掺杂的二维薄片;(三):收集膨胀体,清洗数次后,超声,离心,得到过渡金属掺杂的二维薄片。
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