[发明专利]Bi2有效

专利信息
申请号: 201910547344.7 申请日: 2019-06-24
公开(公告)号: CN110350090B 公开(公告)日: 2020-09-22
发明(设计)人: 於黄忠;陈金雲;黄承稳;巫祖萍;侯春利;王键鸣 申请(专利权)人: 华南理工大学
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48
代理公司: 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 代理人: 罗啸秋
地址: 510640 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明属于钙钛矿太阳能电池领域,公开了一种Bi2O2Se界面修饰的钙钛矿太阳能电池及制备方法。所述钙钛矿太阳能电池包括依次层叠的阴极基底、电子传输层、界面修饰层、钙钛矿吸光层、空穴传输层以及阳极层;所述电子传输层为SnO2薄膜,界面修饰层为Bi2O2Se,钙钛矿吸光层为MAPbI3。本发明采用高电导率、高电荷分离能力的Bi2O2Se材料作为界面修饰层,能有效的降低载流子的复合,提高了电荷的分离,最终提升钙钛矿太阳电池的光电转换效率。同时界面修饰层的引入可有效的提高器件的稳定性。
搜索关键词: bi base sub
【主权项】:
1.一种Bi2O2Se界面修饰的钙钛矿太阳能电池,其特征在于:所述钙钛矿太阳能电池包括依次层叠的阴极基底、电子传输层、界面修饰层、钙钛矿吸光层、空穴传输层以及阳极层;所述电子传输层为SnO2薄膜,界面修饰层为Bi2O2Se,钙钛矿吸光层为MAPbI3
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