[发明专利]Bi2

权利要求书

1.一种Bi₂O₂Se界面修饰的钙钛矿太阳能电池，其特征在于：所述钙钛矿太阳能电池包括依次层叠的阴极基底、电子传输层、界面修饰层、钙钛矿吸光层、空穴传输层以及阳极层；所述电子传输层为SnO₂薄膜，界面修饰层为Bi₂O₂Se，钙钛矿吸光层为MAPbI₃；

所述SnO₂薄膜的厚度为40～50nm，Bi₂O₂Se界面修饰层的厚度为20～60nm；

所述阴极基底为ITO，所述钙钛矿吸光层的厚度为400～450nm；所述空穴传输层包括Spiro-OMeTAD和MoO_x；Spiro-OMeTAD厚度为40～50nm，MoO_x厚度为2～3nm；所述阳极层为银，阳极层的厚度为80～100nm。

2.权利要求1所述的一种Bi₂O₂Se界面修饰的钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于包括如下步骤：将阴极基底经表面处理后依次旋涂制备电子传输层、界面修饰层、钙钛矿吸光层，然后制备空穴传输层以及阳极层，得到Bi₂O₂Se界面修饰的钙钛矿太阳能电池。

3.根据权利要求2所述的一种Bi₂O₂Se界面修饰的钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于所述阴极基底经表面处理的步骤如下：依次用洗洁精、去离子水、丙酮、无水乙醇、异丙醇各超声清洗20min，并在80℃真空干燥箱中烘干；最后对清洗烘干的阴极基底进行10min的等离子表面处理。

4.根据权利要求2所述的一种Bi₂O₂Se界面修饰的钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于所述旋涂制备电子传输层、界面修饰层的步骤如下：

将SnO₂水溶液旋涂在经表面处理后的阴极基底上，随后进行退火处理，然后在退火处理后的SnO₂薄膜上旋涂Bi₂O₂Se的二氯苯溶液。

5.根据权利要求4所述的一种Bi₂O₂Se界面修饰的钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述退火处理温度为150℃，时间为1h；所述旋涂Bi₂O₂Se的二氯苯溶液的转速为2000～5000rpm。

6.根据权利要求2所述的一种Bi₂O₂Se界面修饰的钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于所述旋涂制备钙钛矿吸光层的步骤如下：

将PbI₂和MAI溶于DMF和DMSO的混合溶剂中，将所得混合液旋涂至界面修饰层上，退火处理后得到MAPbI₃钙钛矿吸光层。

7.根据权利要求6所述的一种Bi₂O₂Se界面修饰的钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述PbI₂和MAI的摩尔比为1.35:1.3，所述DMF和DMSO的体积比为4:1；所述退火处理温度为100℃，时间为20min。

8.根据权利要求2所述的一种Bi₂O₂Se界面修饰的钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于所述制备空穴传输层的步骤如下：

将Spiro-OMeTAD溶于氯苯，并加入tBP和Li-TFSI，将所得混合溶液旋涂在钙钛矿吸光层上，然后在上述Spiro-OMeTAD表面蒸镀MoO_x，得到空穴传输层。