[发明专利]一种有机薄膜晶体管及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201910536730.6 申请日: 2019-06-20
公开(公告)号: CN110233204B 公开(公告)日: 2023-04-18
发明(设计)人: 孟鸿;贺超;贺耀武;陈梦芸 申请(专利权)人: 北京大学深圳研究生院
主分类号: H10K71/12 分类号: H10K71/12;H10K10/46;H10K71/15
代理公司: 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 代理人: 王永文;刘文求
地址: 518055 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开一种有机薄膜晶体管及其制备方法,所述方法包括步骤:提供一基板,所述基板上制备有栅电极和绝缘层;将有机半导体、可聚合溶剂以及引发剂混合,形成混合溶液;在所述绝缘层上对所述混合溶液进行加工处理,使混合溶液中的可聚合溶剂以及有机半导体在绝缘层上形成上下垂直分层的有机半导体层和聚合物层,制得复合薄膜层;在所述复合薄膜层制备源电极和漏电极,制得所述有机薄膜晶体管。本发明通过采用可聚合溶剂对有机半导体进行溶液加工,在成膜过程中实现可聚合溶剂的聚合,生成由聚合物层和有机半导体层组成的复合薄膜,从而解决溶液加工过程中溶剂污染的问题并提高有机薄膜晶体管的性能。
搜索关键词: 一种 有机 薄膜晶体管 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种有机薄膜晶体管的制备方法,其特征在于,包括步骤:提供一基板,所述基板上制备有柵电极和绝缘层;将有机半导体、可聚合溶剂以及引发剂混合,形成混合溶液;在所述绝缘层上对所述混合溶液进行加工处理,使所述混合溶液中的可聚合溶剂以及有机半导体在绝缘层上形成上下垂直分层的有机半导体层和聚合物层,制得复合薄膜层;在所述复合薄膜层制备源电极和漏电极,制得所述有机薄膜晶体管。
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