[发明专利]一种无机柔性光电子器件结构及其制备方法有效
申请号: | 201910530501.3 | 申请日: | 2019-06-19 |
公开(公告)号: | CN110323312B | 公开(公告)日: | 2021-04-20 |
发明(设计)人: | 严晗;田忠;罗琦;江威;李鹏;李欢欢;何兴浪 | 申请(专利权)人: | 武汉理工大学 |
主分类号: | H01L33/20 | 分类号: | H01L33/20;H01L33/32;H01L33/46;H01L33/00 |
代理公司: | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人: | 孙方旭 |
地址: | 430070 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种无机柔性光电子器件结构及其制备方法,该无机柔性光电子器件结构从下至上依次为有机物下保护层、硅薄膜层、图形化金属掺杂薄膜层、石墨烯层、氮化镓微柱阵列、二氧化硅保护层、金属铝反射层、光固化有机材料、金属掺杂薄膜层、有机物上保护层。同时本发明提供了一种无机柔性光电子器件的制备方法,可以实现低成本高效率的制备本发明所提出的无机柔性光电子器件。本发明所提出的无机柔性光电子器件解决了绝大多数基于有机物的柔性光电子器件光电效率较低、工作寿命较短以及在紫外线照射下性能退化等问题,同时避免了无机刚性电子器件脆性大、不能折叠的缺陷,具有极大的应用价值。 | ||
搜索关键词: | 一种 无机 柔性 光电子 器件 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种无机柔性光电子器件结构,其特征在于,包括自下而上的结构依次为:有机物下保护层、硅薄膜层、图形化金属掺杂薄膜层、石墨烯层、氮化镓微柱阵列、二氧化硅保护层、金属铝反射膜层、金属掺杂薄膜层、有机物上保护层。
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