[发明专利]一种光波导及其制造方法有效
| 申请号： | 201910520049.2 | 申请日： | 2019-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN110320600B | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 许庆;周章渝;李志华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G02B6/132 | 分类号： | G02B6/132;G02B6/136;G02B6/122 |
| 代理公司： | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人： | 李博 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光波导的制造方法，包括：(a)在半导体衬底上形成包覆层；(b)刻蚀所述包覆层，形成芯层槽；(c)依次沉积芯层和牺牲层；(d)进行表面平坦化；(e)去除牺牲层；(f)重复步骤(c)至(e)，直至芯层槽被芯层填满；(g)进行表现平坦化，得到波导芯。本发明还提供一种光波导，包括：半导体衬底；包裹层，位于所述半导体衬底上，所述包裹层刻蚀有芯层槽；芯层，填充满所述芯层槽。采用本方案，最终可以得到厚度远远超出临界厚度的高质量氮化硅条形波导。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 波导 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光波导的制造方法，其特征在于，包括：(a)在半导体衬底上形成包覆层；(b)刻蚀所述包覆层，形成芯层槽；(c)依次沉积芯层和牺牲层；(d)进行表面平坦化；(e)去除牺牲层；(f)重复步骤(c)至(e)，直至芯层槽被芯层填满；(g)进行表现平坦化，得到波导芯。
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