[发明专利]一种性能可调的晶体管器件结构有效
| 申请号： | 201910515629.2 | 申请日： | 2019-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN110335899B | 公开（公告）日： | 2022-12-09 |
| 发明（设计）人： | 康晓旭 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;马盼 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种性能可调的晶体管器件结构，包括至少覆盖于晶体管器件的沟道上方的压电材料层，压电材料层上连接有上电极和下电极，并一起构成压电器件，下电极同时作为晶体管器件的栅电极；通过对上电极和下电极施加与压电材料层极化方向一致的电压，对压电材料层产生拉伸的形变，从而对沟道晶格起到拉伸作用，以提高电子的迁移率；或者，通过对上电极和下电极施加与压电材料层极化方向相反的电压，对压电材料层产生压缩的形变，从而对沟道晶格起到压缩作用，以提高空穴的迁移率。本发明能够灵活地实现对NMOS器件和PMOS器件的电子/空穴调节效果，并可以根据需求，灵活地调节施加的应力大小，从而提升芯片性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 性能 可调 晶体管 器件 结构 | ||
【主权项】：
1.一种性能可调的晶体管器件结构，其特征在于，包括至少覆盖于晶体管器件的沟道上方的压电材料层，所述压电材料层上连接有上电极和下电极，并一起构成压电器件，所述下电极同时作为所述晶体管器件的栅电极；其中，通过对所述上电极和下电极施加与所述压电材料层极化方向一致的电压，对所述压电材料层产生拉伸的形变，从而对沟道晶格起到拉伸作用，以提高电子的迁移率；或者，通过对所述上电极和下电极施加与所述压电材料层极化方向相反的电压，对所述压电材料层产生压缩的形变，从而对沟道晶格起到压缩作用，以提高空穴的迁移率。
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