[发明专利]铌酸锂滤波器中添加高速层的杂散剪切水平模式频率控制在审
| 申请号： | 201910508927.9 | 申请日： | 2019-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN110601677A | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 小松禎也 | 申请（专利权）人： | 天工方案公司 |
| 主分类号： | H03H9/25 | 分类号： | H03H9/25;H03H9/02 |
| 代理公司： | 11497 北京市正见永申律师事务所 | 代理人： | 黄小临 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种铌酸锂滤波器中添加高速层的杂散剪切水平模式频率控制。具体地，涉及一种电子器件，包括第一表面声波(SAW)谐振器和第二SAW谐振器，每个SAW谐振器具有交错的叉指换能器(IDT)电极，第一SAW谐振器和第二SAW谐振器形成在同一压电基板上，第一SAW谐振器具有IDT电极，该IDT电极具有与第二SAW谐振器的IDT电极不同的指间距；介电材料层，设置在第一SAW谐振器和第二SAW谐振器的IDT电极上；高速层，设置在被配置于第一SAW谐振器的IDT电极上的介电材料层内，第二SAW谐振器不具有在被配置于IDT电极上的所述介电材料层内设置的高速层。 | ||
| 搜索关键词： | 介电材料层 高速层 滤波器 叉指换能器 第一表面 电子器件 剪切水平 模式频率 压电基板 声波 谐振器 铌酸锂 电极 配置 杂散 交错 | ||
【主权项】：
1.一种电子器件，包括：/n第一表面声波(SAW)谐振器和第二SAW谐振器，每个SAW谐振器具有交错的叉指换能器(IDT)电极，所述第一SAW谐振器和所述第二SAW谐振器形成在同一压电基板上，所述第一SAW谐振器具有IDT电极，所述IDT电极具有与所述第二SAW谐振器的IDT电极不同的指间距；/n介电材料层，设置在所述第一SAW谐振器和所述第二SAW谐振器的IDT电极上：以及/n高速层，设置在被配置于所述第一SAW谐振器的所述IDT电极上的所述介电材料层内，所述第二SAW谐振器不具有在被配置于IDT电极上的所述介电材料层内设置的高速层。/n
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