[发明专利]铌酸锂滤波器中添加高速层的杂散剪切水平模式频率控制

说明书

本发明涉及一种铌酸锂滤波器中添加高速层的杂散剪切水平模式频率控制。具体地，涉及一种电子器件，包括第一表面声波(SAW)谐振器和第二SAW谐振器，每个SAW谐振器具有交错的叉指换能器(IDT)电极，第一SAW谐振器和第二SAW谐振器形成在同一压电基板上，第一SAW谐振器具有IDT电极，该IDT电极具有与第二SAW谐振器的IDT电极不同的指间距；介电材料层，设置在第一SAW谐振器和第二SAW谐振器的IDT电极上；高速层，设置在被配置于第一SAW谐振器的IDT电极上的介电材料层内，第二SAW谐振器不具有在被配置于IDT电极上的所述介电材料层内设置的高速层。

相关申请的交叉引用

根据35U.S.C.§119(e)，本申请要求提交于2018年6月13日、发明名称为“FREQUENCY CONTROL OF SPURIOUS SHEAR HORIZONTAL MODE BY ADDING HIGH VELOCITYLAYER IN A LITHIUM NIOBATE FILTER”的美国临时专利申请US62/684，330，以及提交于2018年7月2日、发明名称为“FREQUENCY CONTROL OF SPURIOUS SHEAR HORIZONTAL MODEBY ADDING HIGH VELOCITY LAYER IN A LITHIUM NIOBATE FILTER”的美国临时专利申请US 62/693,027的优先权。这两个申请中的每个申请均通过引用以其全文并入本文中。

背景技术

在诸如移动电话的信息通信装置的领域中，越来越期望在装置内包括附加特征，同时还保持或减少由该装置的电子电路所占据的空间。各种信息通信装置包括用于限定装置用以发送和接收信号的频带的滤波器。这些滤波器可包括在压电基板上形成的表面声波元件。一种用于减小这种滤波器的尺寸的方法可包括形成用于单个集成电路中的滤波器或单个集成电路内的多个滤波器的多个表面声波元件。

发明内容

根据本申请公开的一个方面，提供了一种电子器件(electronic device)。所述电子器件包括第一表面声波(SAW)谐振器和第二SAW谐振器，每个所述SAW谐振器具有交错的叉指换能器(interdigital transducer，IDT)电极，所述第一SAW谐振器和所述第二SAW谐振器形成在同一压电基板上，所述第一SAW谐振器具有IDT电极，该IDT电极具有与第二SAW谐振器的IDT电极不同的指间距；介电材料层，设置在第一SAW谐振器和第二SAW谐振器的IDT电极上；以及高速层，设置在被配置于所述第一SAW谐振器的IDT电极上的所述介电材料层内，所述第二SAW谐振器不具有设置在被配置于IDT电极上的介电材料层内的高速层。

在一些实施例中，所述第一SAW谐振器呈现剪切波杂散(spurious)模式，所述剪切波杂散模式具有高于所述第一SAW谐振器的瑞利振动模式的反谐振频率的谐振频率。

在一些实施例中，所述第一SAW谐振器和所述第二SAW谐振器彼此电耦接并包括在梯形滤波器中，所述梯形滤波器包括至少一个串联SAW谐振器和至少一个并联SAW谐振器，所述至少一个串联SAW谐振器串联地电耦接在梯形滤波器的输入端口和输出端口之间，所述至少一个并联SAW谐振器电连接在所述至少一个串联SAW谐振器的端子和地之间。

在一些实施例中，所述剪切波杂散模式的谐振频率出现在所述梯形滤波器的通带之外的频率处。

在一些实施例中，选择所述压电基板的切割角度和所述介电材料层相对于所述第一SAW谐振器的指间距的厚度以使在所述剪切波杂散模式的谐振频率处的剪切波的强度最小化。

在一些实施例中，所述介电层包括二氧化硅。

在一些实施例中，所述高速层包括氮化硅、氮氧化硅、氮化铝、氧化铝或金刚石中的一种或多种。

在一些实施例中，所述第一SAW谐振器的介电层通过所述高速层分成上层和下层。