[发明专利]铌酸锂滤波器中添加高速层的杂散剪切水平模式频率控制

权利要求书

1.一种电子器件，包括：

第一表面声波(SAW)谐振器和第二SAW谐振器，每个SAW谐振器具有交错的叉指换能器(IDT)电极，所述第一SAW谐振器和所述第二SAW谐振器形成在同一压电基板上，所述第一SAW谐振器具有IDT电极，所述IDT电极具有与所述第二SAW谐振器的IDT电极不同的指间距；

介电材料层，设置在所述第一SAW谐振器和所述第二SAW谐振器的IDT电极上：以及

高速层，设置在被配置于所述第一SAW谐振器的所述IDT电极上的所述介电材料层内，所述第二SAW谐振器不具有在被配置于IDT电极上的所述介电材料层内设置的高速层。

2.根据权利要求1所述的电子器件，其中，所述第一SAW谐振器呈现具有谐振频率的剪切波杂散模式，所述谐振频率高于所述第一SAW谐振器的瑞利振动模式的反谐振频率。

3.根据权利要求2所述的电子器件，其中，所述第一SAW谐振器和所述第二SAW谐振器彼此电耦接并包括在梯形滤波器中，所述梯形滤波器包括至少一个串联SAW谐振器和至少一个并联SAW谐振器，所述至少一个串联SAW谐振器串联地电耦接在所述梯形滤波器的输入端口和输出端口之间，所述至少一个并联SAW谐振器电连接在所述至少一个串联SAW谐振器的端子和地之间。

4.根据权利要求3所述的电子器件，其中，所述剪切波杂散模式的谐振频率出现在所述梯形滤波器的通带外部的频率处。

5.根据权利要求4所述的电子器件，其中，选择所述压电基板的切割角度和所述介电材料层的相对于所述第一SAW谐振器的指间距的厚度，以使在所述剪切波杂散模式的所述谐振频率处的剪切波的强度最小化。

6.根据权利要求5所述的电子器件，其中，所述介电层包括二氧化硅。

7.根据权利要求6所述的电子器件，其中，所述高速层包括氮化硅、氮氧化硅、氮化铝、氧化铝或金刚石中的一种或多种。

8.根据权利要求7所述的电子器件，其中，所述第一SAW谐振器的所述介电层由所述高速层分成上层和下层。

9.根据权利要求8所述的电子器件，其中，所述高速层位于所述第一SAW谐振器的所述IDT电极上方的介电材料厚度的约0％和约40％之间。

10.根据权利要求1所述的电子器件，所述电子器件包括在电子器件模块中。

11.根据权利要求10所述的电子器件，其中，所述电子器件模块是射频器件模块。

12.一种电子器件，包括：

第一滤波器和第二滤波器，每个所述滤波器包括设置在同一压电基板上的表面声波(SAW)谐振器，所述第一滤波器具有与所述第二滤波器的通带不同的通带；

介电膜，覆盖所述第一滤波器和所述第二滤波器的所述SAW谐振器；以及

高速层，设置在覆盖所述第一滤波器的所述SAW谐振器的所述介电膜内，所述第二滤波器包括一个或多个不具有所述高速层的SAW谐振器。

13.根据权利要求12所述的电子器件，其中，覆盖所述第一滤波器的至少一个所述SAW谐振器的所述介电膜具有与覆盖所述第二滤波器的至少一个所述SAW谐振器的所述介电膜不同的厚度。

14.根据权利要求13所述的电子器件，其中，覆盖所述第一滤波器中的至少一个所述SAW谐振器的所述介电膜内的所述高速层的归一化高度不同于覆盖所述第二滤波器中的至少一个所述SAW谐振器的所述介电膜内的所述高速层的归一化高度。