[发明专利]一种键合丝保护镀层的制作方法在审
申请号: | 201910506147.0 | 申请日: | 2019-06-12 |
公开(公告)号: | CN110164776A | 公开(公告)日: | 2019-08-23 |
发明(设计)人: | 杨斌;崔成强;周章桥;张昱;杨冠南 | 申请(专利权)人: | 广东禾木科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/49;C21D9/52;C22F1/02;C22F1/04;C22F1/08;C22F1/14;C23C26/00 |
代理公司: | 杭州聚邦知识产权代理有限公司 33269 | 代理人: | 周育东 |
地址: | 528225 广东省佛山市南海区狮山镇*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及键合丝保护镀层,具体是一种键合丝保护镀层的制作方法,包括以下步骤:S1、原丝拉制;S2、激光诱导沉积覆膜;S3、去离子水清洗;S4、对清洗后键合丝进行烘干处理。本发明利用键合丝单位长度内表面积较小,表面能高因此非常容易受空气中的氧气氧化的原理,通过激光诱导沉积技术在激光聚焦下能对银丝表面瞬时提供巨大的能量,快速还原溶液中的沉积金属,将激光束聚焦于键合丝表面,单位面积内的聚焦能量很高,使含镀层金属的溶液从原液中聚集到银丝附近,在键合丝上快速还原沉积一层很薄的金属覆膜,从而能够快速、致密、高质量的制备键合丝表面包覆膜,实现对键合丝的防腐蚀效果。 | ||
搜索关键词: | 键合丝 镀层 激光诱导沉积 清洗 激光束聚焦 致密 表面包覆 沉积金属 镀层金属 烘干处理 还原沉积 还原溶液 激光聚焦 金属覆膜 聚焦能量 去离子水 瞬时提供 银丝表面 拉制 表面能 防腐蚀 覆膜 银丝 原丝 原液 氧气 制备 制作 | ||
【主权项】:
1.一种键合丝保护镀层的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、原丝拉制:将键合丝原料芯进行粗拉丝,得到直径为450‑550μm的粗丝,通过半精拉丝将其拉制到直径为100‑150μm,再经过一次精拉丝将其拉制到直径在10‑50μm之间;S2、激光诱导沉积覆膜:键合丝在拉制过程后引入沉积槽,采用一个或多个激光诱导器发射出激光束诱导沉积槽中镀层金属离子聚集到键合丝表层进行沉积覆膜,通过改变沉积时间、键合丝送丝速率和激光功率以达到膜层厚度及致密度的控制;S3、去离子水清洗;S4、对清洗后键合丝进行烘干处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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