[发明专利]图像传感器的像素结构有效
| 申请号： | 201910500173.2 | 申请日： | 2019-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN110571231B | 公开（公告）日： | 2022-01-04 |
| 发明（设计）人： | 陈信立;蔡育燐 | 申请（专利权）人： | 普里露尼库斯新加坡私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 苏广秀;徐丽 |
| 地址： | 新加坡安*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明申请案公开了一种包含多个光电二极管的单位像素结构。单位像素形成于半导体叠层。所述单位像素包括传感器阱区，浮置扩散区，第一栅极结构和第二栅极结构。所述第一栅极结构设置在所述半导体叠层上方，所述第二栅极结构延伸到所述半导体叠层中。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 像素 结构 | ||
【主权项】：
1.一种单位像素结构,包括:/n半导体迭层结构,具有正面以及与所述正面相对的背面,所述半导体迭层结构包括:/n第一掺杂层；/n第二掺杂层,设置在所述第一掺杂层上；/n第三掺杂层,设置在所述第二掺杂层上；和/n第四掺杂层,设置在所述第三掺杂层上；/n形成于所述第四掺杂层内的传感器阱区；/n浮置扩散区,形成在所述第四掺杂层内并与所述传感器阱区分离设置；/n第一栅极结构,设置于所述半导体迭层结构上,位于所述传感器阱区和所述浮动扩散区之间；和/n第二栅极结构,布置在所述浮动扩散区周边并延伸穿过所述第三掺杂层。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
