[发明专利]在钨材料表面制备微纳结构的方法和表面具有微纳结构的钨材料及其应用有效
| 申请号： | 201910495103.2 | 申请日： | 2019-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN110055540B | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 马玉田;刘俊标;韩立 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电工研究所 |
| 主分类号： | C23F4/00 | 分类号： | C23F4/00;G21B1/05;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 薛红凡 |
| 地址： | 100190 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种在钨材料表面制备微纳结构的方法和表面具有微纳结构的钨材料及其应用，属于材料表面微结构技术领域。本发明提供的在钨材料表面制备微纳结构的方法，包括以下步骤：在真空条件下，采用氦离子显微镜在钨材料的表面进行第一离子刻蚀，得到刻蚀微区；在真空条件下，采用氦离子显微镜对所述刻蚀微区进行第二离子刻蚀，在所述刻蚀微区内形成纳米条纹，在钨材料表面得到微纳结构。本发明提供的制备方法在真空条件下操作，不易受污染；氦离子显微镜具有超高精度的多功能的加工能力，采用氦离子显微镜进行制备的微纳结构精确高；能够实现对微纳结构的定量控制；而且工艺简单、成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 材料 表面 制备 结构 方法 具有 及其 应用 | ||
【主权项】：
1.一种在钨材料表面制备微纳结构的方法，其特征在于，包括以下步骤：在真空条件下，采用氦离子显微镜在钨材料的表面进行第一离子刻蚀，得到刻蚀微区；在真空条件下，采用氦离子显微镜对所述刻蚀微区进行第二离子刻蚀，在所述刻蚀微区内形成纳米条纹，在钨材料表面得到微纳结构。
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