[发明专利]在钨材料表面制备微纳结构的方法和表面具有微纳结构的钨材料及其应用有效

专利信息
申请号: 201910495103.2 申请日: 2019-06-10
公开(公告)号: CN110055540B 公开(公告)日: 2021-05-04
发明(设计)人: 马玉田;刘俊标;韩立 申请(专利权)人: 中国科学院电工研究所
主分类号: C23F4/00 分类号: C23F4/00;G21B1/05;B82Y40/00
代理公司: 北京高沃律师事务所 11569 代理人: 薛红凡
地址: 100190 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 材料 表面 制备 结构 方法 具有 及其 应用
【权利要求书】:

1.表面具有微纳结构的钨材料在托卡马克装置中的应用;

所述表面具有微纳结构的钨材料,包括钨基体和所述钨基体表面的微纳结构,所述的微纳结构包括刻蚀微区和在刻蚀微区内形成的纳米条纹;

所述刻蚀微区的形状为正方形;所述刻蚀微区的边长为5~10μm,刻蚀深度为5~10μm;

所述纳米条纹的形状为长方形;所述纳米条纹的长度为3~5μm,宽度为0.5~1μm,深度为1nm~1μm;

所述钨基体表面的微纳结构的制备方法,包括以下步骤:

在真空条件下,采用氦离子显微镜在钨材料的表面进行第一离子刻蚀,得到刻蚀微区;

在真空条件下,采用氦离子显微镜对所述刻蚀微区进行第二离子刻蚀,在所述刻蚀微区内形成纳米条纹,在钨材料表面得到微纳结构;

所述钨材料的形状为圆形;所述钨材料的直径为3~10mm,厚度为1~2mm;

所述氦离子显微镜的工作条件为:加速电压为25~30kV,束流为10~15pA,入射角为40~50°;

所述钨材料在使用前依次进行机械加工、抛光和超声波清洗;

所述真空条件的真空度为10-3Pa以下;

所述氦离子显微镜采用的离子源为镓离子源。

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