[发明专利]晶体管栅极驱动器有效

专利信息
申请号: 201910488556.2 申请日: 2019-06-06
公开(公告)号: CN110572144B 公开(公告)日: 2023-02-03
发明(设计)人: G·R·小斯波尔丁;C·T·梁 申请(专利权)人: 亚德诺半导体国际无限责任公司
主分类号: H03K17/687 分类号: H03K17/687
代理公司: 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 代理人: 张小稳
地址: 爱尔兰*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本公开涉及晶体管栅极驱动器。本发明涉及一种适用于驱动一个或多个晶体管的栅极电压的栅极驱动器系统。栅极驱动器系统被配置为当晶体管传导的电流相对较低时在第一状态下操作,而当晶体管传导的电流相对较高时在第二状态下操作。在第二状态下,设置栅极电压,使得晶体管处的源极电压跨越源极驱动的负载建立的电压低于在第一状态下操作时的情况,从而降低第二状态操作期间负载中的功耗水平。
搜索关键词: 晶体管 栅极 驱动器
【主权项】:
1.一种控制用于施加到一个或多个晶体管的相应栅极的栅极电压的系统,其中所述一个或多个晶体管的源极电压驱动一个或多个相应的负载,所述系统包括:/n输出端子,用于耦合到所述一个或多个晶体管的相应栅极;和/n栅极驱动器,耦合到所述输出端子并被配置为在多个状态下操作,并在所述输出端子处设置栅极电压,其中所述栅极驱动器进一步被配置为:/n当所述一个或多个晶体管中的每一个的源极电流小于电流阈值时,在所述多个状态的第一状态下操作;和/n当所述一个或多个晶体管中的每一个的源极电流大于电流阈值时,在所述多个状态的第二状态下操作,其中/n在所述第一状态下所述栅极驱动器将栅极电压设置为第一电压,并且在所述第二状态下所述栅极驱动器将栅极电压设置为第二电压,并且其中/n设置所述第一电压和所述第二电压,使得当所述栅极驱动器在所述第二状态下操作时并且所述一个或多个晶体管正在传导电流,与当所述栅极驱动器在所述第一状态下操作时相比,跨越由所述一个或多个晶体管的源极电压驱动的一个或多个负载的电压较小,从而当所述栅极驱动器在所述第二状态下操作时降低所述一个或多个负载中的功耗。/n
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