[发明专利]高耐压大电流增益的衬底PNP晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201910486427.X | 申请日： | 2019-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN112053952B | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 方园;张洁 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/08;H01L29/73 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 卢炳琼 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高耐压大电流增益的衬底PNP晶体管及其制造方法，包括：制备P型衬底；P型衬底上表面生长N型外延层；N型外延层上表面注入硼离子并推进形成集电极下隔离区；N型外延层上表面注入硼离子并推进形成集电极上隔离区，集电极上、下隔离区上下连接在一起；N型外延层上表面注入硼离子并推进20±10％分钟，形成发射极内圆区；N型外延层上表面注入硼离子并推进形成发射极区域。本发明通过发射极内圆区20±10％分钟的炉管热预算对发射极区域的注入及推进进行预先增强，提高了发射极区域的空穴载流子发射效率，同时未减小发射极区域至P型衬底间的有效N型外延尺寸，实现了该晶体管同时具备大电流增益与高耐压能力。 | ||
| 搜索关键词： | 耐压 电流 增益 衬底 pnp 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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