[发明专利]存储器元件的结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201910484945.8 | 申请日： | 2019-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN112054117A | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 刘海涛;丁莉莉;刘耀鸿;杜国安;李其鲁;宛春雷;林奕佑;陈宇超;李化凯;陈宏岳 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种存储器元件的结构及其制造方法。存储器元件的结构包括基板，所述基板中具有下电极层。缓冲层设置在所述基板上与所述下电极层接触。可变电阻层全部围绕所述缓冲层的侧壁，由所述基板垂直向上延伸。掩模层设置在所述缓冲层与所述可变电阻层上。贵金属层在所述基板上方，全部覆盖所述可变电阻层及所述掩模层。上电极层设置在所述贵金属层上。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 元件 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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