[发明专利]RRAM电路及在RRAM器件中形成细丝的方法有效
| 申请号： | 201910477959.7 | 申请日： | 2019-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN110556142B | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 邹宗成;曾佩玲;林钲峻 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 电路包括偏置电压生成器和限流器。偏置电压生成器，配置为接收第一参考电压，并且响应于第一电流和所述第一参考电压输出偏置电压。限流器配置为接收输入端的第二电流、第二参考电压和所述偏置电压，并且响应于所述第二参考电压和所述输入端的电压电平，将所述第二电流限制为电流限制等级，所述输入端的电压电平基于所述偏置电压。本发明的实施例提供了RRAM电路及在RRAM器件中形成细丝的方法。 | ||
| 搜索关键词： | rram 电路 器件 形成 细丝 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电阻式随机存取存储器(RRAM)电路，包括：/n偏置电压生成器，配置为接收第一参考电压，并且响应于第一电流和所述第一参考电压输出偏置电压；以及/n限流器，配置为接收输入端处的第二电流、第二参考电压和所述偏置电压，并且响应于所述第二参考电压和所述输入端的电压电平，将所述第二电流限制为电流限制等级，/n其中，所述输入端的电压电平基于所述偏置电压。/n
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