[发明专利]基于水平三波导耦合器的硅基模式选择开关

摘要

本发明公开了一种基于水平三波导耦合器的硅基模式选择开关，包括衬底层，下包层和上覆盖层；在下包层上铺有左侧掺杂平板波导层和右侧掺杂平板波导层，左侧掺杂平板波导层上设有左侧电极和输入波导；右侧掺杂平板波导层上设有右侧电极和主干波导；采用基于ENZ‑ITO的水平MOS电容器，通过调整外加电压，调节ITO层的双载流子积聚层的浓度，达到快速相变来实现模式复用的状态转换，实现了高速开关转换，提高了光与物质互作用，为片上模式复用技术打下良好基础，进一步实现应用于模分复用网络的灵活模式路由，为实现光通信、光子系统中高性能光信号处理芯片或器件奠定了基础。

主权项

1.一种基于水平三波导耦合器的硅基模式选择开关，其特征在于：包括衬底层(1)，在衬底层上设有下包层(2)，在下包层(2)上设有左侧第一掺杂平板波导层(13)，左侧第二掺杂平板波导层(15)，右侧第一掺杂平板波导层(14)以及右侧第二掺杂平板波导层(16)，在所述左侧第一掺杂平板波导层(13)和左侧第二掺杂平板波导层(15)之间，设有输入波导(3)，在所述右侧第一掺杂平板波导层(14)和右侧第二掺杂平板波导层(16)之间，设有主干波导(9)，在所述左侧第二掺杂平板波导层(15)和右侧第二掺杂平板波导层(16)之间，设有中心电容器；所述左侧第一掺杂平板波导层(13)上设有左侧电极(11)，所述右侧第一掺杂平板波导层(14)上设有右侧电极(12)；所述输入波导(3)通过左侧第一掺杂平板波导层(13)与左侧电极(11)相连接，所述主干波导(9)通过右侧第一掺杂平板波导层(14)与右侧电极(12)相连接；在所述左侧电极(11)、右侧电极(12)及中心电容器上加外加电压；所述下包层(2)上覆盖有上覆盖层(10)。