[发明专利]P型背面隧穿氧化钝化接触太阳能电池的制备方法

摘要

本发明提供一种P型背面隧穿氧化钝化接触太阳能电池的制备方法所述方法包括对P型单晶硅片的正面和背面进行前道工序处理，然后在背面进行氧化形成超薄隧穿氧化层和制备掺硼硅薄层；在单晶硅片的正面进行磷扩散，并制作选择性发射极；在单晶硅片的背面的第一钝化减反射层和正面的第二钝化减反射层的表面印刷金属电极，金属电极与所述单晶硅片之间形成良好的接触，即完成太阳能电池P型背面隧穿氧化钝化接触。本发明提供了完整且可行的P型隧穿氧化钝化接触太阳能电池制作工艺路线，采用先背面硼掺杂多晶硅薄膜，后正面磷扩散的工艺方法，可有效避免磷的二次扩散、从而产生方阻不匹配现象，可操作性强。

主权项

1.一种P型背面隧穿氧化钝化接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：S1、对P型单晶硅片的正面和背面进行前道工序处理；S2、对所述前道工序处理后的单晶硅片背面进行氧化，形成超薄隧穿氧化层；S3、在所述超薄隧穿氧化层上制备多晶硅薄膜层；S4、在所述多晶硅薄膜层进行硼掺杂处理，所述背面形成掺硼多晶硅薄层；S5、在所述掺硼多晶硅薄层上镀钝化减反射膜；S6、在所述单晶硅片的正面进行磷扩散，并制作选择性发射极；S7、在磷扩散后的所述单晶硅片的正面镀钝化减反射层；S8、在所述单晶硅片背面钝化减反射层和正面钝化减反射层表面印刷金属电极，所述金属电极与所述单晶硅片之间形成良好的接触，即完成太阳能电池P型背面隧穿氧化钝化接触。