[发明专利]一种选择性钝化接触结构的晶体硅太阳电池及其制备方法在审
| 申请号： | 201910474323.7 | 申请日： | 2019-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN110233179A | 公开（公告）日： | 2019-09-13 |
| 发明（设计）人： | 张树德;钱洪强;李跃;连维飞;魏青竹;倪志春;鲁科;杨智 | 申请（专利权）人： | 苏州腾晖光伏技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/042;H01L31/049;H01L31/18 |
| 代理公司： | 苏州华博知识产权代理有限公司 32232 | 代理人： | 黄丽莉 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种选择性钝化接触结构的晶体硅太阳电池，包括：P型硅基体，所述P型硅基体正面设有发射层，所述发射层正面设有第一钝化层，所述P型硅基体背面设有超薄氧化硅层，所述超薄氧化硅层背面设有多晶硅层，所述多晶硅层背面设有第二钝化层；在不购置昂贵离子注入设备的前提下，实现选择性钝化接触结构，不仅提高电池效率的同时，更降低产线升级成本。 | ||
| 搜索关键词： | 选择性钝化 接触结构 晶体硅太阳电池 背面 超薄氧化硅 多晶硅层 钝化层 发射层 离子注入设备 电池效率 产线 制备 升级 | ||
【主权项】：
1.一种选择性钝化接触结构的晶体硅太阳电池，其特征在于，包括：P型硅基体，所述P型硅基体正面设有发射层，所述发射层正面设有第一钝化层，所述P型硅基体背面设有超薄氧化硅层，所述超薄氧化硅层背面设有多晶硅层，所述多晶硅层背面设有第二钝化层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州腾晖光伏技术有限公司，未经苏州腾晖光伏技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910474323.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：肖特基势垒二极管
- 下一篇：P型背面隧穿氧化钝化接触太阳能电池的制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
