[发明专利]一种大面积石墨烯薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201910444767.6 | 申请日： | 2019-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN112079350A | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 李璐;黄孟琼;屈晓兰 | 申请（专利权）人： | 重庆诺奖二维材料研究院有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/186 | 分类号： | C01B32/186 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 400700 重*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种大面积石墨烯薄膜的制备方法，包括如下步骤：将支撑材料与金属基底交替叠放，卷成卷或直接置于CVD反应炉内，在惰性气氛中通入碳源气体和氢气，进行石墨烯的生长；生长结构完成后冷却至室温，将支撑材料与金属基底取出，得到大面积的单层石墨烯薄膜。本发明所述的大面积石墨烯薄膜的制备方法与常规的直接将金属箔直接置于CVD反应炉内生长石墨烯薄膜的制备方法相比，可以制备任意形状，大面积的单层石墨烯薄膜，并且充分利用了CVD反应炉的空间，提高了石墨烯薄膜的生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大面积 石墨 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
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