[发明专利]一种大面积石墨烯薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种大面积石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下：将支撑材料与金属基底交替叠放，卷成卷或直接置于CVD反应炉内，在惰性气氛中通入碳源气体和氢气，进行石墨烯的生长；生长结构完成后冷却至室温，将支撑材料与金属基底取出，得到大面积的单层石墨烯薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种大面积石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于，所述支撑材料与金属基底交替叠放的层数不少于2层。

3.根据权利要求1所述的一种大面积石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于，所述支撑材料为能够使碳源气体和氢气通过的具有三维网状结构的材料。

4.根据权利要求1所述的一种大面积石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于，所述支撑材料为耐高温，且高温下不与金属基底发生反应。

5.根据权利要求1所述的一种大面积石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于，所述支撑材料与金属基底形状保持一致，其面积不小于100cm²；所述形状为长方形、正方形、梯形、圆形或者菱形，优选为长方形。

6.根据权利要求1-5所述的一种大面积石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于，所述支撑材料为碳纤维编织布、玻璃纤维编织布或者陶瓷纤维布中的一种或者多种。

7.根据权利要求1或者2或者5所述的一种大面积石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于，所述金属基底为金属箔，所述金属材料为Co、Ni、Fe、Cu、Pt、Au、Ag、Ir或者Ru中一种或多种；优选为铜箔。

8.根据权利要求1所述的一种大面积石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于，所述惰性气体为氮气或者氩气。

9.根据权利要求1所述的一种大面积石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于，所述碳源气体为烷烃、烯烃、炔烃、苯类或者小分子醇中的一种或多种。

10.根据权利要求1所述的一种大面积石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于，所述CVD反应炉为热壁石英管、刚玉管或冷壁金属炉。