[发明专利]用于高带宽存储器通道的DIMM在审
| 申请号： | 201910438515.2 | 申请日： | 2019-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN110633229A | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | R·阿加瓦尔;B·纳莱;C·J·赵;J·A·麦考尔;G·韦尔吉斯 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G06F13/16 | 分类号： | G06F13/16;G06F13/28 |
| 代理公司： | 72002 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 韩宏;陈松涛 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了一种DIMM。DIMM包括在相同的突发写入序列期间将写入数据多路复用到DIMM上的不同组的存储器芯片的电路。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器芯片 写入数据 多路 写入 电路 | ||
【主权项】：
1.一种装置，包括：/n存储器控制器，包括存储器通道接口，所述存储器通道接口包括第一组数据I/O和第二组数据I/O，所述第一组数据I/O用于以点对点链路方式耦合到第一DIMM，所述第二组I/O用于以点对点链路方式耦合到第二DIMM，所述存储器控制器包括逻辑电路，用于在相同的第一突发写入序列期间将针对所述第一DIMM上的不同组的存储器芯片的第一多路复用写入数据发送到所述第一DIMM，所述存储器控制器还同时在相同的第二突发写入序列期间将针对所述第二DIMM上的不同组的存储器芯片的第二多路复用写入数据发送到所述第二DIMM，所述第二突发写入序列在与所述第一突发写入序列相同的时间段期间存在。/n
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