[发明专利]MOS_D晶体管及其构成的ESD保护电路有效
| 申请号： | 201910432616.9 | 申请日： | 2019-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN110379856B | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 浦珺慧 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种采用SOI工艺的MOS_D晶体管,包括：氧化层位于衬底上，体区、第三注入区和第四注入区位于氧化层上的SOI层中，第三注入区位于体区左侧，第四注入区位于体区右侧，第三注入区和氧化层左侧形成有第一浅沟槽隔离，第四注入区和氧化层右侧形成有第二浅沟槽隔离，第一浅沟槽隔离左侧的衬底顶部形成有第一注入区，第二浅沟槽隔离右侧的衬底顶部形成有第二注入区，多晶硅栅位于SOI层上方，隔离侧墙位于多晶硅栅两侧。本发明还公开了一种采用所述MOS_D晶体管的ESD保护电路。本发明的MOS_D晶体管与现有技术相比占用面积更小，并且具有反向ESD电流通道，能广泛用于ESD保护。 | ||
| 搜索关键词： | mos_d 晶体管 及其 构成 esd 保护 电路 | ||
【主权项】：
1.一种MOS_D晶体管,采用SOI工艺，其特征在于，包括：衬底(200)、第一注入区(201)、第二注入区(202)、氧化层(203)、第三注入区(204)、第四注入区(205)、体区(206)、隔离侧墙(212)、多晶硅栅(213)、第一浅沟槽隔离(214)和第二浅沟槽隔离(214’)；氧化层(203)位于衬底(200)上，体区(206)、第三注入区(204)和第四注入区(205)位于氧化层(203)上的SOI层中，第三注入区(204)位于体区(206)左侧，第四注入区(205)位于体区(206)右侧，第三注入区(204)和氧化层(203)左侧形成有第一浅沟槽隔离(214)，第四注入区(205)和氧化层(203)右侧形成有第二浅沟槽隔离(214’)，第一浅沟槽隔离(214)左侧的衬底(200)顶部形成有第一注入区(201)，第二浅沟槽隔离(214’)右侧的衬底(200)顶部形成有第二注入区(202)，多晶硅栅(213)位于SOI层上方，隔离侧墙(212)位于多晶硅栅(213)两侧。
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