[发明专利]接触孔的制造方法

摘要

本发明公开了一种接触孔的制造方法，包括步骤：步骤一、提供形成有集成电路的前段器件结构的半导体衬底；步骤二、依次形成第一氧化层和CESL层；步骤三、形成层间膜；步骤四、光刻定义出接触孔的形成区域；步骤五、进行接触孔刻蚀工艺形成接触孔，包括分步骤：步骤51、采用以CESL层为停止层的选择性刻蚀进行第一次刻蚀；步骤52、采用以第一氧化层为停止层的选择性刻蚀进行第二次刻蚀；步骤52、进行第三次刻蚀将接触孔的形成区域剩余的氧化层去除并将前段器件结构的金属硅化物的表面露出。本发明能使各图案对应的接触孔底部的金属硅化物的损耗减少且损耗的一致性提高，从而能减少接触电阻以及防止金属硅化物刻穿导致的结漏电。

主权项

1.一种接触孔的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有集成电路的前段器件结构，所述前段器件结构中包括形成于需要引出的掺杂区域表面的金属硅化物，所述金属硅化物用于和后续形成的接触孔的金属接触，所述金属硅化物表面形成有自然氧化层，根据各区域的所述金属硅化物的图形不同对应的所述自然氧化层的厚度也不同；步骤二、依次形成第一氧化层和由氮化层组成的CESL层；步骤三、在所述CESL层表面形成层间膜；步骤四、光刻定义出所述接触孔的形成区域；步骤五、进行接触孔刻蚀工艺形成所述接触孔，包括如下分步骤：步骤51、进行第一次刻蚀，所述第一次刻蚀采用以所述CESL层为停止层的选择性刻蚀，所述第一次刻蚀将所述层间膜刻穿；步骤52、进行第二次刻蚀，所述第二次刻蚀采用以所述第一氧化层为停止层的选择性刻蚀，所述第二次刻蚀将所述CESL层刻穿；步骤52、进行第三次刻蚀，所述第三次刻蚀将所述接触孔的形成区域剩余的由所述自然氧化层和所述第一氧化层叠加而成的氧化层去除并将所述金属硅化物的表面露出。