[发明专利]一种用于智能仪表的光电集成传感器及制备方法在审
| 申请号： | 201910432517.0 | 申请日： | 2019-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN110098202A | 公开（公告）日： | 2019-08-06 |
| 发明（设计）人： | 楼卓格 | 申请（专利权）人： | 浙江机电职业技术学院 |
| 主分类号： | H01L27/144 | 分类号： | H01L27/144;H01L31/0288;H01L31/18 |
| 代理公司： | 杭州赛科专利代理事务所(普通合伙) 33230 | 代理人： | 付建中 |
| 地址： | 310000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及光电传感器技术领域，尤其是一种用于智能仪表的光电集成传感器，包括硅基光电探测器和跨阻放大器，所述硅基光电探测器连接到所述跨阻放大器，硅基光电探测器实现光电转换并由跨阻放大器实现信号放大，本发明能够实现光学元件与放大电路模块的单片光电集成，不仅有效的降低芯片的生产和封装成本，同时能减少由于器件之间的互连线造成的寄生效应，提高器件的稳定性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 硅基光电探测器 跨阻放大器 光电集成传感器 智能仪表 光电传感器技术 单片光电集成 放大电路模块 光电转换 光学元件 寄生效应 互连线 制备 封装 芯片 生产 | ||
【主权项】：
1.一种用于智能仪表的光电集成传感器，其特征在于：包括硅基光电探测器和跨阻放大器，所述硅基光电探测器连接到所述跨阻放大器，硅基光电探测器实现光电转换并由跨阻放大器实现信号放大。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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