[发明专利]一种高剩磁、高矫顽力R-T-B永磁材料及其制备方法

摘要

一种高剩磁、高矫顽力R‑T‑B永磁材料，包括主相合金D、非磁性晶界相G、辅合金相F，磁体成分按重量百分比表示为D100‑u‑vGuFv，且0.1≤u≤2 wt%，1≤v≤10 wt%。与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明采用按功能添加磁体所需的粉体，其添加方式简单、方便，不用改变现有的生产流程，实现了高矫顽力、高剩磁材料的生产；本发明所述由主相合金D、非磁性晶界相G、辅合金相F等不同功能粉体制备的磁体，相较与相同成分的单一相成分制备的磁体，本发明的磁体剩磁、内禀矫顽力等综合磁性能比较好，并且有效地降低了磁体的重稀土含量，节约了生产成本。

主权项

1.一种高剩磁、高矫顽力R‑T‑B永磁材料，其特征在于，包括主相合金D、非磁性晶界相G、辅合金相F，磁体成分按重量百分比表示为D_100‑u‑vG_uF_v，且0.1≤u≤2 wt %，1≤v≤10 wt %；所述主相合金D成分为R_xT_{100‑x‑y‑z}M_yB_z，其中R表示为Nd元素或包括Y在内的一种或多种稀土元素，T表示Co、Fe元素的一种或多种，M表示Al、Ag、Au、Bi、Cu、Ga、Nb、Mo、Sn、Ti、Zn、Zr元素的一种或多种，B表示硼元素；且10.0≤x≤14.5 at%，0≤y≤1.0 at %，5.2≤z≤6.0at %，及Co含量为0‑‑3 at %；所述晶界相G成分表示为R_nM_100‑n，其中R表示为Nd元素或包括Y在内的一种或多种稀土元素，M表示Al、Ag、Au、Bi、Cu、Ga、Sn、Zn、F、O的一种或多种；且0≤n≤80 at %；所述辅合金相F成分为R_aT_{100‑a‑b‑c}M_bB_c，其中R表示为Nd元素或包括Y在内的一种或多种稀土元素，T表示Co、Fe元素的一种或多种，M表示Al、Ag、Au、Bi、Cu、Ga、Nb、Mo、Sn、Ti、Zn、Zr元素的一种或多种，B表示硼元素；且13.0≤a≤16.5 at %，0.2≤b≤2.0 at %，5.8≤c≤6.8 at %，及Co含量为3‑‑50 at %。