[发明专利]一种高剩磁、高矫顽力R-T-B永磁材料及其制备方法有效
申请号: | 201910422006.0 | 申请日: | 2019-05-21 |
公开(公告)号: | CN110060833B | 公开(公告)日: | 2021-01-19 |
发明(设计)人: | 李建忠;何挺;任中琪;周鸿波 | 申请(专利权)人: | 宁波永久磁业有限公司;宁波永熙机电有限公司 |
主分类号: | H01F1/057 | 分类号: | H01F1/057;H01F41/02 |
代理公司: | 北京君恒知识产权代理有限公司 11466 | 代理人: | 郑黎明 |
地址: | 315032 浙江省宁*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 剩磁 矫顽力 永磁 材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种高剩磁、高矫顽力R-T-B永磁材料,其特征在于,包括主相合金D、非磁性晶界相G、辅合金相F,磁体成分按重量百分比表示为D100-u-vGuFv,且0.1≤u≤2 wt %,1≤v≤10 wt%;
所述主相合金D成分为RxT100-x-y-zMyBz,其中R表示为Nd元素或包括Y在内的一种或多种稀土元素,T表示Co、Fe元素的一种或多种,M表示Al、Ag、Au、Bi、Cu、Ga、Nb、Mo、Sn、Ti、Zn、Zr元素的一种或多种,B表示硼元素;且10.0≤x≤14.5 at%,0≤y≤1.0 at %,5.2≤z≤6.0at%,及Co含量为0--3 at %;
所述晶界相G成分表示为RnM100-n,其中R表示为Nd元素或包括Y在内的一种或多种稀土元素,M表示Al、Ag、Au、Bi、Cu、Ga、Sn、Zn、F、O的一种或多种;且40.5≤n≤80 at %;
所述辅合金相F成分为RaT100-a-b-cMbBc,其中R表示为Nd元素或包括Y在内的一种或多种稀土元素,T表示Co、Fe元素的一种或多种,M表示Al、Ag、Au、Bi、Cu、Ga、Nb、Mo、Sn、Ti、Zn、Zr元素的一种或多种,B表示硼元素;且13.0≤a≤16.5 at %,0.2≤b≤2.0 at %,5.8≤c≤6.8 at %,及Co含量为3--50 at %,所述主相合金D中的稀土R含量在10.0≤x≤14.5 at%之间;辅合金F中的稀土R含量在13.0≤a≤16.5 at %之间;且满足x<a,所述主相合金D中的B含量在5.2≤z≤6.0at %之间;所述辅合金F中的B含量在5.8≤c≤6.8 at %之间;且满足z<c。
2.一种根据权利要求1中所述材料的制备方法,其特征在于,包括以下几个步骤:
步骤1:配制主相合金D、辅合金相F,将所配制主相合金D、辅合金相F的原料分别在1420--1500℃下熔炼、速凝,得到平均厚度为0.1--0.5mm的D合金片和F合金片;
步骤2:将所述D合金片和F合金片进行氢破、气流磨制粉,得到粒度为3-5um的D粉、F粉;
步骤3:将混合均匀的D粉和F粉进行磁场取向压制,制成压坯;
步骤4:将压坯进行烧结、时效,制备得到所述永磁材料;
在步骤2或步骤3中,还包括添加晶界相G粉。
3.根据权利要求2中所述的所述材料的制备方法,其特征在于,添加G粉的方式为,在氢破前添加晶界相G粉到D、F的至少一种合金片中或在氢破和气流磨的过程中间添加晶界相G粉到D、F的至少一种粉中或在压型前添加晶界相G粉到D和F的粉体中。
4.根据权利要求2中所述的所述材料的制备方法,其特征在于,晶界相G粉的粒度为0.1--10um。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宁波永久磁业有限公司;宁波永熙机电有限公司,未经宁波永久磁业有限公司;宁波永熙机电有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910422006.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。