[发明专利]一种正硅酸盐基深紫外长余辉发光材料及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201910403086.5 申请日: 2019-05-15
公开(公告)号: CN110028966A 公开(公告)日: 2019-07-19
发明(设计)人: 梁延杰;毕见强;孙康宁;王伟礼 申请(专利权)人: 山东大学
主分类号: C09K11/79 分类号: C09K11/79
代理公司: 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 代理人: 王磊
地址: 250061 山东*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 本公开提供了一种正硅酸盐基深紫外长余辉发光材料及其制备方法,包括基质、激活离子和共掺杂离子,所述基质为Ln2SiO5,Ln为Lu、Y、Gd中的一种或者两种,激活离子为Pr3+,共掺杂离子为Li+、Na+或K+中的一种。本公开的材料在高能光激发时可以产生深紫外光发射。当光源移走后,该材料仍能够产生持续的深紫外发光,深紫外长余辉发光的峰值位于280nm和320nm两处,余辉时间大于1h。该深紫外长余辉发光材料在日盲紫外成像、消毒杀菌、光催化、防伪以及医用光动力治疗等领域有着潜在的应用价值。
搜索关键词: 长余辉发光材料 激活离子 正硅酸盐 共掺杂 基质 制备 离子 长余辉发光 光动力治疗 深紫外光 消毒杀菌 紫外成像 紫外发光 高能光 光催化 潜在的 防伪 移走 光源 余辉 发射 激发 应用
【主权项】:
1.一种正硅酸盐基深紫外长余辉发光材料,其特征是,包括基质、激活离子和共掺杂离子,所述基质为Ln2SiO5,Ln为Lu、Y、Gd中的一种或者两种,激活离子为Pr3+,共掺杂离子为Li+、Na+或K+中的一种。
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