[发明专利]一种具有阻性场板的超结带槽横向耐压区有效
| 申请号： | 201910400968.6 | 申请日： | 2019-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN110212017B | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 程骏骥;陈为真 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/40 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 甘茂 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体功率器件领域，涉及横向耐压区，具体提供一种有阻性场板的超结带槽横向耐压区，应用于半导体功率器件的结边缘终端或者横向半导体功率器件包括LDMOS(Lateral Double‑Diffused MOSFET)、LIGBT(Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor)。本发明通过在超结带槽横向耐压区中的绝缘介质槽与具有超结结构的半导体漂移区之间增加阻性场板，调制反向耐压状态下的表面电场分布，使其更加均匀，从而优化击穿电压与比导通电阻之间的关系。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 阻性场板 超结带槽 横向 耐压 | ||
【主权项】：
1.一种具有阻性场板的超结带槽横向耐压区，包括：衬底(01)、N型漂移区(02)、绝缘介质槽(03)、P+阳极区(04)、阳极(05)、N+阴极区(06)、阴极(07)、P形漂移区(08)及阻性场板(09)；其中，所述N型漂移区(02)设置于衬底(01)上，所述P形漂移区(08)设置于N型漂移区(02)中，所述绝缘介质槽(03)设置于P形漂移区(08)中，所述P+阳极区(04)与N+阴极区(06)分别设置于绝缘介质槽(03)两侧、且均位于N型漂移区(02)与P形漂移区(08)的上方，所述阳极(05)设置于P+阳极区(04)上，所述阴极(07)设置于N+阴极区(06)上；其特征在于，所述绝缘介质槽(03)与P形漂移区(08)之间设置所述阻性场板(09)，且阻性场板(09)与阳极(05)、阴极(07)均相连。
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